Xiaomi 12 Ultra’nın varlığının onaylanmasından sonra
Cihaz artık resmi olarak amiral gemisi sürüm yaşam döngüsünün bir sonraki aşamasına geçti: sızıntılar ve söylentiler. Ve bu yeni sızıntı, yakında çıkacak Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1+ olduğu söylenen Xiaomi 12 Ultra’ya güç veren işlemciyle ilgili.
Haber, popüler Çinli sızıntı kaynağı Weibo’daki Digital Chat Station’dan geliyor. Weibo gönderisinde, 2206122SC model numaralı Xiaomi L2S’nin Qualcomm SM8475 yonga setini desteklediğinden bahsediyorlar. Sızıntı ayrıca cihazın lansman tarihinin Şubat 2022’de gerçekleştiğini ortaya koyuyor.
Farkında olmayanlar için, daha önceki bir sızıntıda, Xiaomi L2S’nin IMEI veritabanında Xiaomi 12 Ultra olduğu tespit edildi ve Qualcomm SM8475 yonga seti Qualcomm SM8450’nin (veya daha yaygın olarak Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 işlemci olarak bilinir) halefidir. . Qualcomm SM8475’in Snapdragon 8 Gen 1+ olarak adlandırılacağı söyleniyor ve bu sefer Samsung’un 4nm düğümü yerine TSMC’nin 4nm işlemi altında üretilmesi bekleniyor.
Bu sızıntı, Xiaomi 12 ve 12 Pro’yu satın almayı erteleyen ve bunun yerine Xiaomi 12 Ultra’yı beklemeye karar verenler için hoş bir sürpriz oldu -. Detaylandırmak gerekirse, Xiaomi 12 ve 12 Pro’nun incelemeleri her yönden olumluydu. İster kameralar, ister ekranlar veya ses deneyimi olsun, her iki telefon da her şeye sahipti.
Snapdragon 8 Gen 1 yongası, Xiaomi 12 , 12 Pro , Motorola Edge X30 ve Realme GT 2 Pro gibi birçok cihazda aşırı ısınmaya, pil boşaltma sorunlarına ve hatta termal kısmaya eğilimliydi. Birçoğu, çipin eksikliklerini Samsung LSI’nin 4nm işlemi altında fabbed olmasının nedenine bağladı. Bunun nedeni, Snapdragon 870, Snapdragon 865 ve Snapdragon 855 gibi önceki Qualcomm amiral gemisi yonga setlerinin bu sorunları 8. Nesil 1 kadar güçlü göstermemesidir, çünkü bunların 3’ü de TSMC kapsamında oluşturulmuştur.
Hem telefon üreticilerinin hem de tüketicilerin giderek artan şikayetleri ile Qualcomm’un Snapdragon 8 Gen 1+ yonga seti için TSMC’ye geri döndüğü bildiriliyor ve TSMC’nin daha iyi termal, daha iyi güç verimliliği ve daha iyi güç sağladığını iddia eden en son 4nm sürecinden yararlanacak. öncekinden daha iyi performans.
